溫度濕度振動綜合試驗箱適用于航天產品、信息電子儀器儀表、材料、電工、電子產品、各種電子元氣件在溫度、濕度、振動、環(huán)境下、檢驗其各性能項指標
溫度濕度振動綜合試驗箱,三綜合試驗箱,溫濕振綜合試驗箱,複合型環(huán)境試驗機
產品用途
溫濕度振動三綜合試驗機適用于航天產品、信息電子儀器儀表、材料、電工、電子產品、各種電子元氣件在溫度、濕度、振動、環(huán)境下、檢驗其各性能項指標
技術參數
溫度范圍：－20℃～130℃
濕度范圍： 40%～98%RH
溫度均勻度： ±2℃（空載時）
溫度波動度： ±0.5℃（空載時）
濕度波動度： ±2%
溫度偏差： ≤±2℃
濕度偏差： ≤±2%
升溫時間： －20℃～120℃≤1小時
降溫時間： 室溫降到－20℃≤45分鐘（空載時）
時間設定范圍： 0～999小時
正弦波： 2.94kN（300kgf）
頻率范圍： 5-2000HZ
大加速度：980m/s²（100g）
大速度：1.1m/s
大移位：25mmp-p
運動部件有效質量：2.7kg
大載荷：120 kg
臺面尺寸：ø 150mm
振動方向：上下垂直
制冷系統
溫濕度振動三綜合試驗機制冷機采用法國原裝“泰康”全封閉壓縮機；
冷凍系統采用單元或二元式低溫回路系統設計；
美國“艾高”干燥過濾器，“冠亞”油分離器，意大利“卡士妥”電磁閥；
采用多翼式送風機強力送風循環(huán)，避免任何死角，可使測試區(qū)域內溫濕度分布均勻；
風路循環(huán)出風回風設計，風壓風速均符合測試標準，并可使開門瞬間溫濕度回穩(wěn)時間快；
升溫、降溫、加濕系統*獨立可提高效率，降低測試成本，增長壽命，減低故障率。
箱體結構
溫濕度振動三綜合試驗機主體部分：主體外殼采用A3鋼板并且經過噴塑處理，內膽采用SUS不銹鋼鏡面板保溫介質為超細玻璃棉；
循環(huán)方式：部離心風葉送風，底部回風；
門與箱體之間采用雙層耐高溫之高張性密封條以確保測試區(qū)的密閉；
采用無反作用門把手，操作更容易；
機器底部采用可固定式PU活動輪；
觀察窗采用多層中空鋼化玻璃,內側膠合片式導電膜（可清楚觀察試驗過程）；
引線孔（機器左側）可外接測試電源線或信號線使用（直徑50mm）；
工作室下方裝有可供振動臺體移出移進的導軌（在不進行振動試驗時移出振動臺體）；
振動臺面與工作室低部連接密封采用多層環(huán)氧樹脂與耐高溫硅橡膠相間式接插連接（以便密封）；
加熱系統選用翅片式不銹鋼加熱器，加熱芯為遠紅外鎳絡合金絲；
兩套系統分別獨立控制，相互不干擾；
送風循環(huán)系統祥明電機（低噪音）,多翼式離心風輪,單循環(huán)。
控制系統
智能型雙路高精度數顯PID微電腦控制儀表（可直接顯示濕度的百分數值，不用溫濕度轉換對照）
薄膜式 KEY BOARD
具有斷電記憶功能，復電時可繼續(xù)剩余之試驗過程
溫度控制均采用P•I•D ＋S•S•R，系統同頻道協調控制，可提高控制元件與界面使用之穩(wěn)定性及壽命
觸控式設定、數位及直接顯示
具有PID自動演算之功能，可減少人為設定時帶來之不便
在運轉或設定中，如發(fā)生錯誤時，會提供警示迅號
停電記錄保持裝置五年
法國“施耐德”元器件
振動概要
振動發(fā)生器：采用日本ThreeBand公司圈繞制用粘合劑，日本IMV公司勵磁溫度傳感器，日本東布制作所動圈用不銹鋼網板,低噪音風機；
開關式功率放大器：采用西門子開關、接觸器、日本三洋電機功率模塊、美國摩托羅拉功率放大器件、日本富士電機功率模塊保護超快熔斷器；
數字式振動控制儀主要配置：
DSP接口箱（內制2通道電荷放大器）、工控計算機CPU PIV2.0G、內存256MB、60GB硬盤、光驅52X、17寸純平顯示器.壓電式加速度傳感器（CGJ-1型）；
軟件：（引進美國版本）正弦振動控制系統、隨機振動控制系統、經典沖擊振動控制系統彩色噴墨打印機附屬電纜線。
保護系統
整體設備超溫
整體設備欠相/逆相
制冷系統過載
制冷系統超壓
整體設備定時
其它還有漏電，運行指示，故障報警后自動停機等保護
振動過熱裝置
振動過電流裝置
振動過電壓裝置
振動控制儀輸出“0”位保護
振動過位移保護
符合標準：GB/T2423.1-2001、GB/T2423.2-2001、GB/T2423.3-93、GB/2423.10-99、和JJG190-97
東莞艾思荔除了可仿真產品在一般氣候環(huán)境溫濕組合條件下（高低溫操作&儲存、溫度循環(huán)、高溫高濕、結露試驗、振動機,振動臺,振動試驗機,振動試驗臺,電磁振動試驗機,機械振動試驗機,高頻振動試驗機 ）..等，去檢測產品本身的適應能力與特性是否改變，以及針對產品在（低溫低濕、高溫低濕、高溫高濕降到低溫低濕..等）環(huán)境下是否會發(fā)生龜裂、破損，另外在低濕環(huán)境中的空氣靜電量是一般環(huán)境的30倍以上，據統計，半導體破壞率：59%是由靜電所引起的www.asli163。。ｃｏｍ。
